Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Rohm Semiconductor ~ DTDG14GPT100

номер части: DTDG14GPT100
производитель: Rohm Semiconductor
Описание: TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: DTDG14GPT100.pdf DTDG14GPT100 PDF online browsing
семья: Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, предварительно предвзятые

номер части	DTDG14GPT100
Статус детали	Active
Тип транзистора	NPN - Pre-Biased
Ток - коллектор (Ic) (макс.)	1A
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.)	60V
Резистор - основание (R1) (Ом)	-
Резистор - основание эмиттера (R2) (Ом)	10k
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce	300 @ 500mA, 2V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic	400mV @ 5mA, 500mA
Ток - отсечка коллектора (макс.)	500nA (ICBO)
Частота - переход	80MHz
Мощность - макс.	2W
Тип монтажа	Surface Mount
Упаковка / чехол	TO-243AA
Пакет устройств поставщика	MPT3

Образ	номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
	DTDG14GPT100	Rohm Semiconductor	TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3		3000	подробности
	DTDG23YPT100	Rohm Semiconductor	TRANS PREBIAS NPN 1.5W MPT3		1000	подробности