DTDG23YPT100

TRANS PREBIAS NPN 1.5W MPT3
DTDG23YPT100 P1
DTDG23YPT100 P2
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Rohm Semiconductor ~ DTDG23YPT100

Número de pieza
DTDG23YPT100
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
TRANS PREBIAS NPN 1.5W MPT3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
DTDG23YPT100.pdf DTDG23YPT100 PDF online browsing
Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Simple, prepolarizados
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Número de pieza DTDG23YPT100
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 60V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 2.2k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 22k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 500mA, 2V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 500mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA
Frecuencia - Transición 80MHz
Potencia - Max 1.5W
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja TO-243AA
Paquete de dispositivo del proveedor MPT3

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