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| Número de pieza | IDB30E60ATMA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 52.3A (DC) |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2V @ 30A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 126ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50µA @ 600V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO263-3-2 |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -40°C ~ 175°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IDB30E120ATMA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3 | - | 1000 | Detalles |
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IDB30E60ATMA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263 | - | 0 | Detalles |