IDB30E120ATMA1

DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
IDB30E120ATMA1 P1
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Infineon Technologies ~ IDB30E120ATMA1

Número de pieza
IDB30E120ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- IDB30E120ATMA1 PDF online browsing
Familia
Diodos - Rectificadores
- Simple
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Número de pieza IDB30E120ATMA1
Estado de la pieza Active
Tipo de diodo Standard
Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V
Corriente - promedio rectificado (Io) 50A (DC)
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si 2.15V @ 30A
Velocidad Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr) 243ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 100µA @ 1200V
Capacitancia @ Vr, F -
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO263-3
Temperatura de funcionamiento - unión -55°C ~ 150°C

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