Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.
| Numéro d'article | IDB30E60ATMA1 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 52.3A (DC) |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 2V @ 30A |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 126ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 600V |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Package de périphérique fournisseur | PG-TO263-3-2 |
| Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 175°C |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDB30E120ATMA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3 | - | 1000 | Détails |
 |
IDB30E60ATMA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263 | - | 0 | Détails |