| номер части | IDB30E120ATMA1 |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 1200V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 50A (DC) |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 2.15V @ 30A |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 243ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 100µA @ 1200V |
| Емкость @ Vr, F | - |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Упаковка / чехол | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO263-3 |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDB30E120ATMA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3 | - | 1000 | подробности |
 |
IDB30E60ATMA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263 | - | 0 | подробности |
