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| Número de pieza | BTS282Z E3230 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 49V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 80A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 240µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 232nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4800pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | Temperature Sensing Diode |
| Disipación de potencia (Máx) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 36A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | PG-TO220-7-230 |
| Paquete / caja | TO-220-7 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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BTS282Z E3180A | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 | 0 | Detalles | |
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BTS282Z E3230 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 | 0 | Detalles | |
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BTS282ZAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 | 0 | Detalles | |
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BTS282ZE3180AATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7 | - | 0 | Detalles |
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BTS282ZE3230AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7 | - | 500 | Detalles |