Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

Infineon Technologies ~ BTS282Z E3230

номер части: BTS282Z E3230
производитель: Infineon Technologies
Описание: MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
Бессвинцовый статус / RoHS Статус: Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация: BTS282Z E3230.pdf BTS282Z E3230 PDF online browsing
семья: Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные

номер части	BTS282Z E3230
Статус детали	Obsolete
Тип полевого транзистора	N-Channel
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss)	49V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C	80A (Tc)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.)	4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 240µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	232nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds	4800pF @ 25V
Vgs (Макс.)	±20V
Функция FET	Temperature Sensing Diode
Рассеиваемая мощность (макс.)	300W (Tc)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs	6.5 mOhm @ 36A, 10V
Рабочая Температура	-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип монтажа	Through Hole
Пакет устройств поставщика	PG-TO220-7-230
Упаковка / чехол	TO-220-7

номер части	Производители	Описание	PDF	В наличии	Посмотреть
BTS282Z E3180A	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7		0	подробности
BTS282Z E3230	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7		0	подробности
BTS282ZAKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7		0	подробности
BTS282ZE3180AATMA2	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7	-	0	подробности
BTS282ZE3230AKSA2	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7	-	500	подробности