BTS282Z E3180A

MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
BTS282Z E3180A P1
BTS282Z E3180A P1
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Infineon Technologies ~ BTS282Z E3180A

Número de pieza
BTS282Z E3180A
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza BTS282Z E3180A
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 49V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 80A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 240µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 232nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET Temperature Sensing Diode
Disipación de potencia (Máx) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 36A, 10V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-TO220-7-180
Paquete / caja TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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