VS-GT400TH120U

IGBT 1200V 750A 2344W DIAP
VS-GT400TH120U P1
VS-GT400TH120U P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-GT400TH120U

Artikelnummer
VS-GT400TH120U
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung
IGBT 1200V 750A 2344W DIAP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
VS-GT400TH120U.pdf VS-GT400TH120U PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer VS-GT400TH120U
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ Trench
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 750A
Leistung max 2344W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 400A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 51.2nF @ 30V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall Double INT-A-PAK (3 + 8)
Lieferantengerätepaket Double INT-A-PAK

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