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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | VS-GT100TP60N |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | Trench |
| Aufbau | Half Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 160A |
| Leistung max | 417W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 5mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 7.71nF @ 30V |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | INT-A-PAK (3 + 4) |
| Lieferantengerätepaket | INT-A-PAK |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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VS-GT100DA120U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 258A 893W SOT-227 | 0 | Einzelheiten | |
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VS-GT100DA120UF | Vishay Semiconductor Diodes Division | OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG | - | 1634 | Einzelheiten |
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VS-GT100DA60U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 184A 577W SOT-227 | 0 | Einzelheiten | |
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VS-GT100LA120UX | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 134A 463W SOT-227 | 0 | Einzelheiten | |
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VS-GT100NA120UX | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 134A 463W SOT-227 | 0 | Einzelheiten | |
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VS-GT100TP120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK | 0 | Einzelheiten | |
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VS-GT100TP60N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-GT105LA120UX | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227 | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-GT105NA120UX | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227 | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-GT120DA65U | Vishay Semiconductor Diodes Division | OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG | - | 2751 | Einzelheiten |
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VS-GT140DA60U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 200A 652W SOT-227 | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-GT175DA120U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227 | - | 156 | Einzelheiten |