VS-GT100TP120N

IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK
VS-GT100TP120N P1
VS-GT100TP120N P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-GT100TP120N

Artikelnummer
VS-GT100TP120N
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung
IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer VS-GT100TP120N
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ Trench
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 180A
Leistung max 652W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 12.8nF @ 30V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall INT-A-PAK (3 + 4)
Lieferantengerätepaket INT-A-PAK

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