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| 品番 | VS-GT100TP60N |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| IGBTタイプ | Trench |
| 構成 | Half Bridge |
| 電圧 - コレクタエミッタ破壊（最大） | 600V |
| 電流 - コレクタ（Ic）（最大） | 160A |
| 電力 - 最大 | 417W |
| Vce（on）（Max）@ Vge、Ic | 2.1V @ 15V, 100A |
| 電流 - コレクタ遮断（最大） | 5mA |
| 入力容量（Cies）@ Vce | 7.71nF @ 30V |
| 入力 | Standard |
| NTCサーミスタ | No |
| 動作温度 | 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Chassis Mount |
| パッケージ/ケース | INT-A-PAK (3 + 4) |
| サプライヤデバイスパッケージ | INT-A-PAK |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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VS-GT100DA120U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 258A 893W SOT-227 | 0 | 詳細 | |
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VS-GT100DA120UF | Vishay Semiconductor Diodes Division | OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG | - | 1634 | 詳細 |
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VS-GT100DA60U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 184A 577W SOT-227 | 0 | 詳細 | |
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VS-GT100LA120UX | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 134A 463W SOT-227 | 0 | 詳細 | |
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VS-GT100NA120UX | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 134A 463W SOT-227 | 0 | 詳細 | |
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VS-GT100TP120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK | 0 | 詳細 | |
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VS-GT100TP60N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 160A 417W INT-A-PAK | - | 0 | 詳細 |
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VS-GT105LA120UX | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 105A LS CHOP SOT-227 | - | 0 | 詳細 |
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VS-GT105NA120UX | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 105A HS CHOP SOT-227 | - | 0 | 詳細 |
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VS-GT120DA65U | Vishay Semiconductor Diodes Division | OUTPUT SW MODULES - SOT-227 IG | - | 2751 | 詳細 |
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VS-GT140DA60U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 200A 652W SOT-227 | - | 0 | 詳細 |
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VS-GT175DA120U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227 | - | 156 | 詳細 |