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| Numéro d'article | VS-GT100TP120N |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| Type d'IGBT | Trench |
| Configuration | Half Bridge |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1200V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 180A |
| Puissance - Max | 652W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.35V @ 15V, 100A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 5mA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 12.8nF @ 30V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | INT-A-PAK (3 + 4) |
| Package de périphérique fournisseur | INT-A-PAK |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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VS-GT100DA120U | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 258A 893W SOT-227 | 0 | Détails | |
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VS-GT100NA120UX | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 134A 463W SOT-227 | 0 | Détails | |
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VS-GT100TP120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK | 0 | Détails | |
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