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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SIZ342DT-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | - |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 15.7A (Ta), 100A (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 11.5 mOhm @ 14A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 15V |
| Leistung max | 3.6W, 4.3W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-Power33 (3x3) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SIZ340DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 30A SOT-23 | - | 0 | Einzelheiten |
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SIZ342DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3 | - | 3000 | Einzelheiten |
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SIZ346DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 30V 17/30A 8POWER33 | - | 223194 | Einzelheiten |
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SIZ348DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL N-CHAN 30V POWERPAIR | - | 121398 | Einzelheiten |