SIZ342DT-T1-GE3

MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3
SIZ342DT-T1-GE3 P1
SIZ342DT-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SIZ342DT-T1-GE3

Numéro d'article
SIZ342DT-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET DL N-CH 30V POWERPAIR3X3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- SIZ342DT-T1-GE3 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article SIZ342DT-T1-GE3
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique -
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 15.7A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5 mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 15V
Puissance - Max 3.6W, 4.3W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerWDFN
Package de périphérique fournisseur 8-Power33 (3x3)

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