SIZ340DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 30A SOT-23
SIZ340DT-T1-GE3 P1
SIZ340DT-T1-GE3 P1
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Vishay Siliconix ~ SIZ340DT-T1-GE3

Artikelnummer
SIZ340DT-T1-GE3
Hersteller
Vishay Siliconix
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 30A SOT-23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer SIZ340DT-T1-GE3
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 30A, 40A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 9.5 mOhm @ 15.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 760pF @ 15V
Leistung max 16.7W, 31W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-PowerWDFN
Lieferantengerätepaket 8-Power33 (3x3)

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