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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TPN3021 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Spannung - Durchbruch | 38V |
| Spannung - Aus Zustand | 28V |
| Spannung - Ein Zustand | - |
| Strom - Spitzenpuls (8 / 20μs) | 100A |
| Strom - Spitzenpuls (10 / 1000μs) | 30A |
| Aktuell - Halten (Ih) | 30mA |
| Anzahl der Elemente | 3 |
| Kapazität | 16pF |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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TPN11003NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 30V 11A 8TSON-ADV | - | 0 | Einzelheiten |
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TPN11006NL,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON | - | 3000 | Einzelheiten |
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TPN1110ENH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON | - | 0 | Einzelheiten |
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TPN13008NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 80V 40A 8TSON | - | 5000 | Einzelheiten |
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TPN14006NH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 60V 13A 8TSON-ADV | - | 0 | Einzelheiten |
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TPN1600ANH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV | - | 0 | Einzelheiten |
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TPN1R603PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | - | 0 | Einzelheiten |
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TPN2010FNH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON | - | 0 | Einzelheiten |
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TPN22006NH,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON | - | 0 | Einzelheiten |
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TPN2R203NC,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 45A 8-TSON | - | 0 | Einzelheiten |
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TPN2R304PL,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 80A TSON | - | 0 | Einzelheiten |
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TPN2R503NC,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV | - | 0 | Einzelheiten |