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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | TPN1R603PL,L1Q |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 10V @ 10µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 15V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 104W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.2 mOhm @ 80A, 10V |
Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Paket / Fall | 8-PowerVDFN |