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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | TPN1110ENH,L1Q |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 7.2A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 200µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 100V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 114 mOhm @ 3.6A, 10V |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Paket / Fall | 8-PowerVDFN |