RFN2LAM6STR

DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM
RFN2LAM6STR P1
RFN2LAM6STR P1
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Rohm Semiconductor ~ RFN2LAM6STR

Artikelnummer
RFN2LAM6STR
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer RFN2LAM6STR
Teilstatus Active
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 1.5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.55V @ 1.5A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 1µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F -
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOD-128
Lieferantengerätepaket PMDTM
Betriebstemperatur - Kreuzung 150°C (Max)

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