RFN2L6STE25

DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS
RFN2L6STE25 P1
RFN2L6STE25 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Rohm Semiconductor ~ RFN2L6STE25

Artikelnummer
RFN2L6STE25
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDS
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
RFN2L6STE25.pdf RFN2L6STE25 PDF online browsing
Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer RFN2L6STE25
Teilstatus Active
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 600V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 1.5A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.55V @ 1.5A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 35ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 1µA @ 600V
Kapazität @ Vr, F -
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall DO-214AC, SMA
Lieferantengerätepaket PMDS
Betriebstemperatur - Kreuzung 150°C (Max)

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