RFN2LAM6STR

DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM
RFN2LAM6STR P1
RFN2LAM6STR P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Rohm Semiconductor ~ RFN2LAM6STR

品番
RFN2LAM6STR
メーカー
Rohm Semiconductor
説明
DIODE GEN PURP 600V 1.5A PMDTM
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- RFN2LAM6STR PDF online browsing
家族
ダイオード - 整流器 - シングル
  • 在庫あり$数量個
  • 参考価格 : submit a request

表示よりも数量の多い価格見積依頼を提出

製品パラメータ

すべての製品

品番 RFN2LAM6STR
部品ステータス Active
ダイオードタイプ Standard
電圧 - DC逆(Vr)(最大) 600V
電流 - 平均整流(Io) 1.5A
電圧 - フォワード(Vf)(最大)@ If 1.55V @ 1.5A
速度 Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) 35ns
電流 - 逆リーク(Vr) 1µA @ 600V
容量Vr、F -
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース SOD-128
サプライヤデバイスパッケージ PMDTM
動作温度 - ジャンクション 150°C (Max)

関連製品

すべての製品