이미지는 참고 용입니다.
제품 세부 정보는 제품 사양을 참조하십시오.
부품 번호 | BSH108,215 |
---|---|
부품 상태 | Active |
FET 유형 | N-Channel |
과학 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) | 30V |
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 1.9A (Tc) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 5V, 10V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 2V @ 1mA |
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs | 10nC @ 10V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 190pF @ 10V |
Vgs (최대) | ±20V |
FET 기능 | - |
전력 발산 (최대) | 830mW (Tc) |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 1A, 10V |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C (TJ) |
실장 형 | Surface Mount |
공급 업체 장치 패키지 | TO-236AB (SOT23) |
패키지 / 케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |