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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | IRF7524D1PBF |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.7A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.7V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 15V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET-Eigenschaft | Schottky Diode (Isolated) |
| Verlustleistung (Max) | 1.25W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Micro8™ |
| Paket / Fall | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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IRF710 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB | - | 0 | Einzelheiten |
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IRF7101PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC | 0 | Einzelheiten | |
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IRF7101TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC | 4000 | Einzelheiten | |
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IRF7102 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC | 0 | Einzelheiten | |
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IRF7103PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | 5991 | Einzelheiten | |
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IRF7103Q | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | 0 | Einzelheiten | |
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IRF7103QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | 0 | Einzelheiten | |
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IRF7103TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | 12000 | Einzelheiten | |
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IRF7104PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | 0 | Einzelheiten | |
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IRF7104TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC | 0 | Einzelheiten | |
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IRF7105PBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC | 1060 | Einzelheiten | |
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IRF7105QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC | 0 | Einzelheiten |