IRF7101PBF

MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
IRF7101PBF P1
IRF7101PBF P1
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Infineon Technologies ~ IRF7101PBF

Artikelnummer
IRF7101PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 20V 3.5A 8-SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRF7101PBF.pdf IRF7101PBF PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer IRF7101PBF
Teilstatus Discontinued at Digi-Key
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Logic Level Gate
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3.5A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 320pF @ 15V
Leistung max 2W
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO

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