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Numero di parte | IRF7524D1PBF |
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Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.7V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 240pF @ 15V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Caratteristica FET | Schottky Diode (Isolated) |
Dissipazione di potenza (max) | 1.25W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | Micro8™ |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |