FDB0190N807L

MOSFET N-CH 80V 270A D2PAK
FDB0190N807L P1
FDB0190N807L P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Fairchild/ON Semiconductor ~ FDB0190N807L

Artikelnummer
FDB0190N807L
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 80V 270A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer FDB0190N807L
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 80V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 270A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 8V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 249nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 19110pF @ 40V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3.8W (Ta), 250W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.7 mOhm @ 34A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D2PAK (7-Lead)
Paket / Fall TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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