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| Numero di parte | FDB0190N807L |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 270A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 8V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 249nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 19110pF @ 40V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.7 mOhm @ 34A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK (7-Lead) |
| Pacchetto / caso | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FDB0105N407L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 460A | - | 5600 | Dettagli |
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FDB0165N807L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 310A TO263 | - | 0 | Dettagli |
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FDB016N04AL7 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7 | - | 9600 | Dettagli |
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FDB0170N607L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK | - | 1600 | Dettagli |
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FDB0190N807L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 270A D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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FDB024N04AL7 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V D2PAK-7 | - | 0 | Dettagli |
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FDB024N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | - | 800 | Dettagli |
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FDB024N08BL7 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7 | - | 0 | Dettagli |
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FDB0250N807L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK | - | 800 | Dettagli |
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FDB0260N1007L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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FDB029N06 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK | - | 16000 | Dettagli |
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FDB0300N1007L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK | - | 1600 | Dettagli |