FDB016N04AL7

MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
FDB016N04AL7 P1
FDB016N04AL7 P2
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Fairchild/ON Semiconductor ~ FDB016N04AL7

Artikelnummer
FDB016N04AL7
Hersteller
Fairchild/ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer FDB016N04AL7
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 160A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 167nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 11600pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 283W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.6 mOhm @ 80A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket D²PAK (TO-263)
Paket / Fall TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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