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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | CPMF-1200-S080B |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 50A (Tj) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 90.8nC @ 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1915pF @ 800V |
| Vgs (Max) | +25V, -5V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 313mW (Tj) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 20A, 20V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Die |
| Paket / Fall | Die |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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CPMF-1200-S080B | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE | 0 | Einzelheiten | |
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CPMF-1200-S160B | Cree/Wolfspeed | MOSFET N-CH SICFET 1200V 28A DIE | 0 | Einzelheiten |