CPMF-1200-S080B

MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE
CPMF-1200-S080B P1
CPMF-1200-S080B P1
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Cree/Wolfspeed ~ CPMF-1200-S080B

Numéro d'article
CPMF-1200-S080B
Fabricant
Cree/Wolfspeed
La description
MOSFET N-CH SICFET 1200V 50A DIE
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article CPMF-1200-S080B
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Drain à la tension de source (Vdss) 1200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 50A (Tj)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 90.8nC @ 20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1915pF @ 800V
Vgs (Max) +25V, -5V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 313mW (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 110 mOhm @ 20A, 20V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur Die
Paquet / cas Die

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