DN2625DK6-G

MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
DN2625DK6-G P1
DN2625DK6-G P2
DN2625DK6-G P1
DN2625DK6-G P2
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Microchip Technology ~ DN2625DK6-G

Artikelnummer
DN2625DK6-G
Hersteller
Microchip Technology
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer DN2625DK6-G
Teilstatus Active
FET Typ 2 N-Channel (Dual)
FET-Eigenschaft Depletion Mode
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 250V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 1.1A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 3.5 Ohm @ 1A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 7.04nC @ 1.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 25V
Leistung max -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-VDFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket 8-DFN (5x5)

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