DN2625DK6-G

MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
DN2625DK6-G P1
DN2625DK6-G P2
DN2625DK6-G P1
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Microchip Technology ~ DN2625DK6-G

Numéro d'article
DN2625DK6-G
Fabricant
Microchip Technology
La description
MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- DN2625DK6-G PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article DN2625DK6-G
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Depletion Mode
Drain à la tension de source (Vdss) 250V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 Ohm @ 1A, 0V
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 7.04nC @ 1.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 25V
Puissance - Max -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-VDFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur 8-DFN (5x5)

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