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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | DN2625K4-G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 250V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.1A (Tj) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 0V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7.04nC @ 1.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | Depletion Mode |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 1A, 0V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-252, (D-Pak) |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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DN2625DK6-G | Microchip Technology | MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN | - | 608 | Einzelheiten |
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DN2625K4-G | Microchip Technology | MOSFET N-CH 250V 1.1A 3DPAK | - | 6000 | Einzelheiten |