NTMS10P02R2

MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
NTMS10P02R2 P1
NTMS10P02R2 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

ON Semiconductor ~ NTMS10P02R2

Một phần số
NTMS10P02R2
nhà chế tạo
ON Semiconductor
Sự miêu tả
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- NTMS10P02R2 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số NTMS10P02R2
Trạng thái phần Obsolete
Loại FET P-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 20V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 8.8A (Ta)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 3640pF @ 16V
Vgs (Tối đa) ±12V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 1.6W (Ta)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 10A, 4.5V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp 8-SOIC
Gói / Trường hợp 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm