NTMS10P02R2

MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
NTMS10P02R2 P1
NTMS10P02R2 P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

ON Semiconductor ~ NTMS10P02R2

номер части
NTMS10P02R2
производитель
ON Semiconductor
Описание
MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- NTMS10P02R2 PDF online browsing
семья
Транзисторы - полевые транзисторы, МОП-транзисторы - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части NTMS10P02R2
Статус детали Obsolete
Тип полевого транзистора P-Channel
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Слив к источнику напряжения (Vdss) 20V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 8.8A (Ta)
Напряжение привода (Макс. Rds Вкл., Мин. Вкл.) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 70nC @ 4.5V
Входная емкость (Ciss) (Макс.) @ Vds 3640pF @ 16V
Vgs (Макс.) ±12V
Функция FET -
Рассеиваемая мощность (макс.) 1.6W (Ta)
Rds On (Макс.) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 10A, 4.5V
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Surface Mount
Пакет устройств поставщика 8-SOIC
Упаковка / чехол 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

сопутствующие товары

Все продукты