FGD3N60LSDTM-T

INTEGRATED CIRCUIT
FGD3N60LSDTM-T P1
FGD3N60LSDTM-T P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

ON Semiconductor ~ FGD3N60LSDTM-T

Một phần số
FGD3N60LSDTM-T
nhà chế tạo
ON Semiconductor
Sự miêu tả
INTEGRATED CIRCUIT
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- FGD3N60LSDTM-T PDF online browsing
gia đình
Transitor - IGBT - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số FGD3N60LSDTM-T
Trạng thái phần Obsolete
Loại IGBT -
Điện áp - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Current - Collector (Ic) (Max) 6A
Hiện tại - Collector Pulsed (Icm) 25A
VCE (bật) (tối đa) @ Vge, Ic 1.5V @ 10V, 3A
Sức mạnh tối đa 40W
Chuyển đổi năng lượng 250µJ (on), 1mJ (off)
Kiểu đầu vào Standard
Phụ trách cổng 12.5nC
Td (bật / tắt) @ 25 ° C 40ns/600ns
Điều kiện kiểm tra 480V, 3A, 470 Ohm, 10V
Thời gian phục hồi ngược (trr) 234ns
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói / Trường hợp TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói Thiết bị Nhà cung cấp TO-252, (D-Pak)

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm