FGD3N60LSDTM-T

INTEGRATED CIRCUIT
FGD3N60LSDTM-T P1
FGD3N60LSDTM-T P1
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ON Semiconductor ~ FGD3N60LSDTM-T

Numéro d'article
FGD3N60LSDTM-T
Fabricant
ON Semiconductor
La description
INTEGRATED CIRCUIT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article FGD3N60LSDTM-T
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 6A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 25A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.5V @ 10V, 3A
Puissance - Max 40W
Échange d'énergie 250µJ (on), 1mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 12.5nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 40ns/600ns
Condition de test 480V, 3A, 470 Ohm, 10V
Temps de récupération inverse (trr) 234ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Package de périphérique fournisseur TO-252, (D-Pak)

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