Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | APTM50DAM19G |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại FET | N-Channel |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 500V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 163A |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 10mA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 492nC @ 10V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 22400pF @ 25V |
| Vgs (Tối đa) | ±30V |
| Tính năng FET | - |
| Công suất Tối đa (Tối đa) | 1136W (Tc) |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V |
| Nhiệt độ hoạt động | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Chassis Mount |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | SP6 |
| Gói / Trường hợp | SP6 |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APTM08TAM04PG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P | - | 0 | Chi tiết |
 |
APTM08TDUM04PG | Microsemi Corporation | MOSFET 6N-CH 75V 120A SP6-P | 0 | Chi tiết | |
|
APTM100A12STG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W | 0 | Chi tiết | |
|
APTM100A13DG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 | - | 0 | Chi tiết |
 |
APTM100A13SCG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 | - | 4 | Chi tiết |
 |
APTM100A13SG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 | - | 46 | Chi tiết |
 |
APTM100A18FTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 43A SP4 | - | 0 | Chi tiết |
|
APTM100A23SCTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 | 0 | Chi tiết | |
|
APTM100A23STG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4 | - | 0 | Chi tiết |
|
APTM100A40FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 21A SP1 | - | 0 | Chi tiết |
|
APTM100A46FT1G | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1 | 0 | Chi tiết | |
 |
APTM100AM90FG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 78A SP6 | - | 0 | Chi tiết |