Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | APT60D100BG |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại Diode | Standard |
| Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
| Hiện tại - Đã kiểm tra tính trung bình (Io) | 60A |
| Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If | 2.5V @ 60A |
| Tốc độ | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Thời gian phục hồi ngược (trr) | 280ns |
| Hiện tại - rò rỉ ngược @ Vr | 250µA @ 1000V |
| Điện dung @ Vr, F | - |
| Kiểu lắp | Through Hole |
| Gói / Trường hợp | TO-247-2 |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | TO-247 [B] |
| Nhiệt độ hoạt động - Junction | -55°C ~ 175°C |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT6010B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX | - | 4 | Chi tiết |
 |
APT6013JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227 | - | 2 | Chi tiết |
 |
APT6013LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 43A TO-264 | - | 3 | Chi tiết |
 |
APT6017B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX | - | 15579 | Chi tiết |
 |
APT6017LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | - | 15 | Chi tiết |
 |
APT6017LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | - | 25 | Chi tiết |
 |
APT6030BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD | 0 | Chi tiết | |
|
APT6040BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD | 0 | Chi tiết | |
|
APT6040BNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD | 0 | Chi tiết | |
 |
APT60D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247 | - | 375 | Chi tiết |
 |
APT60D100LCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264 | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT60D100SG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 60A D3 | - | 0 | Chi tiết |