| номер части | APT60D100BG |
|---|---|
| Статус детали | Active |
| Тип диода | Standard |
| Напряжение - Реверс постоянного тока (Vr) (макс.) | 1000V |
| Текущий - средний отрегулированный (Io) | 60A |
| Напряжение - Вперед (Vf) (Макс.) @ Если | 2.5V @ 60A |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Время обратного восстановления (trr) | 280ns |
| Текущий - обратный утечек @ Vr | 250µA @ 1000V |
| Емкость @ Vr, F | - |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Упаковка / чехол | TO-247-2 |
| Пакет устройств поставщика | TO-247 [B] |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
| Образ | номер части | Производители | Описание | В наличии | Посмотреть | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT6010B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 54A T-MAX | - | 4 | подробности |
 |
APT6013JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 39A SOT-227 | - | 2 | подробности |
 |
APT6013LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 43A TO-264 | - | 3 | подробности |
 |
APT6017B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A T-MAX | - | 15579 | подробности |
 |
APT6017LFLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | - | 15 | подробности |
 |
APT6017LLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 35A TO-264 | - | 25 | подробности |
 |
APT6030BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 23A TO247AD | 0 | подробности | |
|
APT6040BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD | 0 | подробности | |
|
APT6040BNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD | 0 | подробности | |
 |
APT60D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 60A TO247 | - | 375 | подробности |
 |
APT60D100LCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 60A TO264 | - | 0 | подробности |
 |
APT60D100SG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 60A D3 | - | 0 | подробности |
