Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | APT150GN60LDQ4G |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại IGBT | Trench Field Stop |
| Điện áp - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 220A |
| Hiện tại - Collector Pulsed (Icm) | 450A |
| VCE (bật) (tối đa) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 150A |
| Sức mạnh tối đa | 536W |
| Chuyển đổi năng lượng | 8.81mJ (on), 4.295mJ (off) |
| Kiểu đầu vào | Standard |
| Phụ trách cổng | 970nC |
| Td (bật / tắt) @ 25 ° C | 44ns/430ns |
| Điều kiện kiểm tra | 400V, 150A, 1 Ohm, 15V |
| Thời gian phục hồi ngược (trr) | - |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Through Hole |
| Gói / Trường hợp | TO-264-3, TO-264AA |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | TO-264 [L] |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
APT150GN120J | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | - | 21 | Chi tiết |
 |
APT150GN120JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 215A 625W SOT227 | - | 96 | Chi tiết |
 |
APT150GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 19 | Chi tiết |
 |
APT150GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 16 | Chi tiết |
 |
APT150GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W SOT227 | - | 15 | Chi tiết |
 |
APT150GN60LDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 220A 536W TO-264L | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT150GT120JR | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 170A 830W SOT227 | - | 29 | Chi tiết |
 |
APT15D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT15D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247 | - | 14 | Chi tiết |
 |
APT15D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247 | - | 0 | Chi tiết |
 |
APT15D100KG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 15A TO220 | - | 509 | Chi tiết |
 |
APT15D120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 15A TO247 | 0 | Chi tiết |