APT150GN120J

IGBT 1200V 215A 625W SOT227
APT150GN120J P1
APT150GN120J P2
APT150GN120J P1
APT150GN120J P2
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Microsemi Corporation ~ APT150GN120J

Một phần số
APT150GN120J
nhà chế tạo
Microsemi Corporation
Sự miêu tả
IGBT 1200V 215A 625W SOT227
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
- APT150GN120J PDF online browsing
gia đình
Transitor - IGBTs - Các mô-đun
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số APT150GN120J
Trạng thái phần Active
Loại IGBT Trench Field Stop
Cấu hình Single
Điện áp - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Current - Collector (Ic) (Max) 215A
Sức mạnh tối đa 625W
VCE (bật) (tối đa) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 150A
Hiện tại - Bộ sưu tập Cutoff (Tối đa) 100µA
Điện dung đầu vào (Cies) @ Vce 9.5nF @ 25V
Đầu vào Standard
Thermistor NTC No
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp Chassis Mount
Gói / Trường hợp ISOTOP
Gói Thiết bị Nhà cung cấp ISOTOP®

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm