IPD135N08N3GATMA1

MOSFET N-CH 80V 45A
IPD135N08N3GATMA1 P1
IPD135N08N3GATMA1 P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Infineon Technologies ~ IPD135N08N3GATMA1

Một phần số
IPD135N08N3GATMA1
nhà chế tạo
Infineon Technologies
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 80V 45A
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
IPD135N08N3GATMA1.pdf IPD135N08N3GATMA1 PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số IPD135N08N3GATMA1
Trạng thái phần Active
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 80V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 45A (Tc)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 33µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 1730pF @ 40V
Vgs (Tối đa) ±20V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 79W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 13.5 mOhm @ 45A, 10V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp PG-TO252-3
Gói / Trường hợp TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm