IPD135N03LGXT

MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
IPD135N03LGXT P1
IPD135N03LGXT P1
Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.

Infineon Technologies ~ IPD135N03LGXT

Một phần số
IPD135N03LGXT
nhà chế tạo
Infineon Technologies
Sự miêu tả
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
Tình trạng chì / tình trạng RoHS
Không có chì / RoHS Tuân thủ
Bảng dữliệu
IPD135N03LGXT.pdf IPD135N03LGXT PDF online browsing
gia đình
Transitor - FETs, MOSFETs - Đơn
  • Trong kho $ Số lượng chiếc
  • Giá tham khảo : submit a request

Gửi yêu cầu báo giá với số lượng lớn hơn số lượng được hiển thị.

Thông số sản phẩm

Tất cả sản phẩm

Một phần số IPD135N03LGXT
Trạng thái phần Obsolete
Loại FET N-Channel
Công nghệ MOSFET (Metal Oxide)
Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) 30V
Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds 1000pF @ 15V
Vgs (Tối đa) ±20V
Tính năng FET -
Công suất Tối đa (Tối đa) 31W (Tc)
Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs 13.5 mOhm @ 30A, 10V
Nhiệt độ hoạt động -55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp Surface Mount
Gói Thiết bị Nhà cung cấp PG-TO252-3
Gói / Trường hợp TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

những sản phẩm liên quan

Tất cả sản phẩm