Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | IPD046N08N5ATMA1 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại FET | N-Channel |
| Công nghệ | MOSFET (Metal Oxide) |
| Thoát đến nguồn điện áp (Vdss) | 80V |
| Hiện tại - Drain liên tục (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
| Điện thế ổ đĩa (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 65µA |
| Phím cổng (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds | 3800pF @ 40V |
| Vgs (Tối đa) | ±20V |
| Tính năng FET | - |
| Công suất Tối đa (Tối đa) | 125W (Tc) |
| Rds Ngày (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 45A, 10V |
| Nhiệt độ hoạt động | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Kiểu lắp | Surface Mount |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | PG-TO252-3 |
| Gói / Trường hợp | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
IPD046N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO-252-3 | - | 0 | Chi tiết |