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| Numero di parte | IPD046N08N5ATMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 65µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3800pF @ 40V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6 mOhm @ 45A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO252-3 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IPD046N08N5ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO-252-3 | - | 0 | Dettagli |