Hình ảnh chỉ mang tính tham khảo.
Xem Thông số kỹ thuật của sản phẩm để biết chi tiết sản phẩm.
| Một phần số | IDP08E65D2XKSA1 |
|---|---|
| Trạng thái phần | Active |
| Loại Diode | Standard |
| Điện áp - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Hiện tại - Đã kiểm tra tính trung bình (Io) | 8A |
| Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If | 2.3V @ 3A |
| Tốc độ | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Thời gian phục hồi ngược (trr) | 40ns |
| Hiện tại - rò rỉ ngược @ Vr | 40µA @ 650V |
| Điện dung @ Vr, F | - |
| Kiểu lắp | Through Hole |
| Gói / Trường hợp | TO-220-2 |
| Gói Thiết bị Nhà cung cấp | TO-220-2 |
| Nhiệt độ hoạt động - Junction | -40°C ~ 175°C |
| Hình ảnh | Một phần số | Nhà sản xuất của | Sự miêu tả | Trong kho | Lượt xem | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IDP08E65D1XKSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2 | - | 890 | Chi tiết |
 |
IDP08E65D2XKSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2 | - | 414 | Chi tiết |