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| Número de pieza | IDP08E65D2XKSA1 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 8A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 2.3V @ 3A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 40ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 40µA @ 650V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | TO-220-2 |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-220-2 |
| Temperatura de funcionamiento - unión | -40°C ~ 175°C |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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IDP08E65D1XKSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2 | - | 890 | Detalles |
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IDP08E65D2XKSA1 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 650V 8A TO220-2 | - | 414 | Detalles |